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Transistores de poder complementarios TIP2955 que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Collector-emitter voltage (IE = 0):
100 V
Collector-emitter voltage (RBE = 100 Ω):
70 V
Collector-emitter voltage (IB = 0):
60 V
Collector-base voltage (IC = 0):
7 V
Collector current:
15 A
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Transistores de poder complementarios


Características
Voltaje de saturación bajo del colector-emisor
■NPN complementario - transistores de PNP

Usos
Fines generales
■Amplificador audio

Descripción
Los dispositivos se fabrican en tecnología planar de la epitaxial-base y son convenientes para los usos lineares y que cambian audios, del poder.

Resumen del dispositivo

Código de orden Marca Paquete Empaquetado
TIP2955 TIP2955 TO-247 tubo
TIP3055 TIP3055


LISTA COMÚN

LT1181ACSW 9114 LT 14+ SOP-16
OB2263AP 10000 ON-BRIGHT 16+ INMERSIÓN
PAM8006ATR 10820 PAM 16+ QFN
LP62S16128BV-55LLT 743 AMIC 10+ TSSOP-44
82C250Y 1100 14+ SOP-8
MCP2200-I/SS 5152 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
LT1013DDR 8058 TI 16+ SOP-8
MC9S08AC16CFGE 4528 FREESCALE 16+ LQFP
MB6F 20000 TOSHIBA 16+ SMD
MAX5035DASA 5580 MÁXIMA 15+ COMPENSACIÓN
MCP1702T-5002E/MB 5080 MICROCHIP 16+ SOT-89
RM10TB-H 150 MITSUBISH 10+ MÓDULO
QCN-3+ 1000 MINI 15+ SMD
MC100EP196FAR2G 2204 EN 16+ QFP
XC1400P-03S 2000 ANAREN 14+ SMD
MC10EL07DR2G 2448 EN 16+ COMPENSACIÓN
MF-R050-0-99 30000 BOURNS 16+ INMERSIÓN
30554* 856 BOSCH 10+ QFP-64
MPC8260ACZUMIBB 590 FREESCALE 16+ BGA
LTC2954CTS8-2 6909 LINEAR 16+ BORRACHÍN
XC95288XL-7PQG208I 100 XILINX 15+ QFP208
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