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Hogar > productos > chips CI electrónicos > MOSFET Zener-protegido CANAL N de SuperMESHPower del transistor del Mosfet del poder del mosfet del poder del smd⑩ de P10NK80ZFP

MOSFET Zener-protegido CANAL N de SuperMESHPower del transistor del Mosfet del poder del mosfet del poder del smd⑩ de P10NK80ZFP

MOSFET Zener-protegido CANAL N de SuperMESHPower del transistor del Mosfet del poder del mosfet del poder del smd⑩ de P10NK80ZFP
MOSFET Zener-protegido CANAL N de SuperMESHPower del transistor del Mosfet del poder del mosfet del poder del smd⑩ de P10NK80ZFP
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) a través del agujero TO-220FP
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drain-source Voltage (VGS = 0):
800 V
voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20):
800 V
Voltaje de fuente de puerta:
± 30 V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ):
4 KV
Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo:
4,5 V/ns
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introducción

STP10NK80Z - STP10NK80ZFP STW10NK80Z

El CANAL N 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-protegió el MOSFET de SuperMESH™Power

TIPO VDSS RDS (encendido) Identificación Picovatio

STP10NK80Z

STP10NK80ZFP

STW10NK80Z

800 V

800 V

800 V

< 0="">

< 0="">

< 0="">

9 A

9 A

9 A

160 W

40 W

160 W

■RDS TÍPICO (encendido) = 0,78 Ω

■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt

■LA AVALANCHA 100% PROBÓ

■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ

■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS

■BUEN REPEATIBILITY DE FABRICACIÓN MISMO

DESCRIPCIÓN

La serie de SuperMESH™ se obtiene con una optimización extrema de la disposición stripbased establecida de PowerMESH™ del ST. Además de empujar en-resistencia perceptiblemente hacia abajo, el cuidado especial se toma para asegurar una capacidad muy buena de dv/dt para los usos más exigentes. Tal serie complementa la gama completa del ST de MOSFETs de alto voltaje incluyendo los productos revolucionarios de MDmesh™.

USOS

■TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD, DE ALTA VELOCIDAD

■FUENTES DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DEL INTERRUPTOR

■CONVERTIDORES DE DC-AC PARA LA SOLDADURA, UPS Y LA IMPULSIÓN DEL MOTOR

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

Símbolo Parámetro Valor Unidad
STP10NK80Z STP10NK80ZFP STW10NK80Z
VDS voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) 800 V
VDGR voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20) 800 V
VGS Voltaje de fuente de puerta ± 30 V
Identificación Drene actual (continuo) en TC = 25°C 9 9 (*) 9
Identificación Drene actual (continuo) en TC = 100°C 6 6 (*) 6
¿IDM (? •?) Corriente del dren (pulsada) 36 36 (*) 36
PTOT Disipación total en TC = 25°C 160 40 160 W
Reducir la capacidad normal de factor 1,28 0,32 1,28 W/°C
VESD (G-S) Fuente ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de la puerta 4 Kilovoltio
dv/dt (1) Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo 4,5 V/ns
VISO El aislamiento soporta el voltaje (DC) - 2500 - V

Tj

Tstg

Temperatura de empalme de funcionamiento

Temperatura de almacenamiento

-55 a 150

-55 a 150

°C

°C

¿(? •?) anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro

(1) DSI ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de VDD de Tj.

(*) limitó solamente por la temperatura máxima permitida.

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
BD82Q57 SLGZW 423 INTEL 10+ BGA
X28HC64P-12 2500 XICOR 13+ DIP-28
8909000938* 1024 BOSCH 14+ QFP
8905507184* 1013 BOSCH 15+ QFP
M48T08-150PC1 3594 ST 14+ INMERSIÓN
LM318N 4965 NSC 14+ DIP-8
NTD2955-1G 4500 EN 14+ TO-251
PCF7936AS 2700 14+ BORRACHÍN
LPV358MX 6254 14+ SOP-8
XC5VSX50T-1FFG665I 178 XILINX 10+ BGA
PCF7935AS 2780 16+ BORRACHÍN
LTC4413EDD#TRPBF 6259 LINEAR 10+ QFN
LPC1114FBD48/302 2731 15+ QFP
NC7SZ175P6X 38000 FAIRCHILD 16+ SC70-6
LM340T-12 10000 NSC 15+ TO-220
MAX6301CSA+T 4137 MÁXIMA 16+ COMPENSACIÓN
MAX3232ECAE+T 11300 MÁXIMA 16+ SSOP
XR2206CP 4000 EXAR 14+ DIP-16
OPA544T 7920 TI 14+ TO-220
PCA9517DR 12120 TI 14+ COMPENSACIÓN
MC1455P1G 8399 EN 15+ INMERSIÓN

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