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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transistores de alto voltaje del silicio del transistor NPN del Mosfet del poder de MMBTA42LT1G

Transistores de alto voltaje del silicio del transistor NPN del Mosfet del poder de MMBTA42LT1G

Transistores de alto voltaje del silicio del transistor NPN del Mosfet del poder de MMBTA42LT1G
Transistores de alto voltaje del silicio del transistor NPN del Mosfet del poder de MMBTA42LT1G
Transistores de alto voltaje del silicio del transistor NPN del Mosfet del poder de MMBTA42LT1G
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Collector−Emitter Voltage:
300 Vdc
Collector−Base Voltage:
300 Vdc
Emitter−Base Voltage:
6.0 Vdc
Collector Current (Continuous):
500 mAdc
Junction and Storage Temperature:
−55 to +150 °C
Package:
SOT−23
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

MMBTA42LT1G, MMBTA43LT1G

Transistores de alto voltaje

Silicio de NPN

Características

• Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS obediente

GRADOS MÁXIMOS

Característica Símbolo Valor Unidad

Voltaje MMBTA42 de Collector−Emitter

MMBTA43

 VCEO

300

200

 VDC

Voltaje MMBTA42 de Collector−Base

MMBTA43

 VCBO

300

200

 VDC

Voltaje MMBTA42 de Emitter−Base

MMBTA43

 VEBO

6,0

6,0

 VDC
− de la corriente de colector continuo IC 500 mAdc

CARACTERÍSTICAS TERMALES

Característica Símbolo Valor Unidad

Tablero total de la disipación FR−5 del dispositivo

(Nota 1) TA = 25°C

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

 Paladio

225

1,8

mW

mW/°C

Resistencia termal, Junction−to−Ambient

 RθJA

556

 °C/W

Substrato total del alúmina de la disipación del dispositivo

(Nota 2) TA = 25°C

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

 Paladio

300

2,4

mW

mW/°C
Resistencia termal, Junction−to−Ambient RθJA 417 °C/W
Temperatura del empalme y de almacenamiento TJ, Tstg −55 a +150 °C

Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición ampliada a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 adentro.

2. Alúmina = 0,4 x 0,3 x 0,024 adentro. alúmina 99,5%.

DIMENSIONES DEL PAQUETE

SOT−23 (TO−236)

CASO 318−08

PROBLEMA AP

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
LPC4078FBD208 2821 16+ QFP208
LPS331APTR 6770 ST 16+ LGA16
LPS4012-152MLC 4955 COILCRAFT 08+ SMD
LPS6225-103MLC 9148 COILCRAFT 16+ SMD
LQG18HNR10J00D 24000 MURATA 16+ SMD
LQH32CNR47M33L 113000 MURATA 15+ SMD
LQH43MN1R0M03L 13000 MURATA 16+ SMD
LQW15AN13NG00D 3000 MURATA 15+ SMD
LQW18AN3N9C10D 16000 MURATA 13+ SMD
LQW18ANR22G00D 12000 MURATA 15+ SMD
LQW2BASR15J00L 61000 MURATA 15+ SMD
LQW2BHNR47K03L 55000 MURATA 16+ SMD
LS4448-GS08 20000 VISHAY 16+ LL34
LSM303DLHTR 10067 ST 16+ LGA
LT1004CDR-2-5 3519 TI 12+ SOP-8
LT1009IS8#PBF 7519 LINEAR 14+ SOP-8
LT1013DIDR 7843 TI 16+ SOP-8
LT1072CN8 8677 LT 13+ DIP-8
LT1085CT-12 4387 LT 16+ TO-220
LT1117CST 1387 LINEAR 15+ SOT223
LT1373CS8 4358 LT 13+ SOP-8
LT1460GIZ-5 3179 LT 16+ TO-92
LT1611CS5 15029 LT 15+ SOT23-5
LT1764AEQ-1.5#PBF 4513 LINEAR 14+ TO-263
LT1764AEQ-1.8#TRPBF 2400 LT 09+ TO263-5
LT1764AEQ-3.3 3962 LT 15+ TO-263
LT1783CS5 3598 LT 14+ SOT-153
LT1806CS8 3157 LT 14+ COMPENSACIÓN
LT1931AES5#TRPBF 4880 LINEAR 06+ SOT23-5
LT1931ES5#TRPBF 4368 LINEAR 16+ SOT23-5

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