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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transistores del mosfet del poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de P4NK60ZFP

Transistores del mosfet del poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de P4NK60ZFP

Transistores del mosfet del poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de P4NK60ZFP
Transistores del mosfet del poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de P4NK60ZFP
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drain-source Voltage:
600 V
Drain-gate Voltage:
600 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
El aislamiento soporta voltaje:
2500 V
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
MAX191BCWG+ 2338 MÁXIMA 16+ SOIC-24
MAX1932ETC+T 3044 MÁXIMA 13+ QFN
MAX232EIDR 50000 TI 13+ SOP-16
MAX232IDW 9003 TI 11+ SOP-16
MAX253CSA+ 6562 MÁXIMA 14+ SOP-8
MAX3051EKA+T 3853 MÁXIMA 14+ SOT-23
MAX3061EEKA 4024 MÁXIMA 15+ SOT23-8
MAX3070EESD 5557 MÁXIMA 16+ SOP-14
MAX31865ATP+T 3707 MÁXIMA 16+ QFN20
MAX3221ECPWR 3059 TI 16+ TSSOP
MAX3224ECAP 4095 MÁXIMA 16+ SSOP-20
MAX3232CPWR 5697 TI 16+ TSSOP
MAX3232CUE 3986 MÁXIMA 16+ TSSOP
MAX3232EIDR 3667 TI 16+ SOP-16
MAX3238ECPWR 8331 TI 10+ TSSOP
MAX3243CDBR 3590 TI 14+ SSOP-28
MAX3243ECDBR 6741 TI 09+ SSOP-28
MAX32590-LNJ+ 553 MÁXIMA 13+ NA
MAX3311CUB 2302 MÁXIMA 16+ MSOP-10
MAX3311EEUB 2324 MÁXIMA 16+ MSOP-10
MAX3442EEPA+ 3095 MÁXIMA 16+ DIP-8
MAX3442EESA+T 5829 MÁXIMA 16+ SOP-8
MAX3486CSA 15889 MÁXIMA 16+ SOP-8
MAX3490CSA+ 11077 MÁXIMA 13+ SOP-8
MAX4080SASA+T 15089 MÁXIMA 16+ SOP-8
MAX418CPD 3034 MÁXIMA 14+ DIP-14
MAX4624EZT 15171 MÁXIMA 16+ SOT23-6
MAX4663CAE 2151 MÁXIMA 16+ SSOP-16
MAX472CPA 4115 MÁXIMA 15+ DIP-8
MAX491CPD+ 14840 MÁXIMA 16+ DIP-14

STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1

STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1

N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK

MOSFET Zener-protegido de SuperMESH™Power

■Ω TÍPICO 1,76 del RDS (encendido) =

■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt

■LA AVALANCHA 100% PROBÓ

■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ

■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS

■BUEN REPEATIBILITY DE FABRICACIÓN MISMO

DESCRIPCIÓN

La serie de SuperMESH™ se obtiene con una optimización extrema de la disposición stripbased establecida de PowerMESH™ del ST. Además de empujar en-resistencia perceptiblemente hacia abajo, el cuidado especial se toma para asegurar una capacidad muy buena de dv/dt para los usos más exigentes. Tal serie complementa la gama completa del ST de MOSFETs de alto voltaje incluyendo los productos revolucionarios de MDmesh™.

USOS

■TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD, DE ALTA VELOCIDAD

■IDEAL PARA LAS FUENTES DE ALIMENTACIÓN OFF-LINE, LOS ADAPTADORES Y PFC

■ILUMINACIÓN

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

Símbolo Parámetro Valor Unidad

STP4NK60Z

STB4NK60Z

STB4NK60Z-1

 STP4NK60ZFP

STD4NK60Z

STD4NK60Z-1
VDS voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) 600 V
VDGR voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20) 600 V
VGS Voltaje de fuente de puerta ± 30 V
Identificación Drene actual (continuo) en TC = 25°C 4 4 (*) 4
Identificación Drene actual (continuo) en TC = 100°C 2,5 2,5 (*) 2,5
IDM (•?) Corriente del dren (pulsada) 16 16 (*) 16
PTOT Disipación total en TC = 25°C 70 25 70 W
Reducir la capacidad normal de factor 0,56 0,2 0,56 W/°C
VESD (G-S) Fuente ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de la puerta 3000 V
dv/dt (1) Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo 4,5 V/ns
VISO El aislamiento soporta el voltaje (DC) - 2500 - V

Tj

Tstg

Temperatura de empalme de funcionamiento

Temperatura de almacenamiento

-55 a 150

-55 a 150

 °C

(•??) anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro

(1) DSI ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de VDD de Tj.

(*) limitó solamente por la temperatura máxima permitida

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