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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria

Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria

Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria
Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 V 2 un soporte superficial DPAK de 25MHz 20 W
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de Collector−Emitter:
100 VCC
Voltaje de Collector−Base:
100 VCC
Voltaje de Emitter−Base:
5 VDC
Corriente baja:
mAdc 50
Disipación de poder total @ TC = 25°C:
20 vatios
Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento:
−65 al °C +150
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria

MJD112 (NPN)

MJD117 (PNP)

DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria

DPAK para los usos superficiales del soporte

TRANSISTORES DE PODER DEL SILICIO

2 AMPERIOS

100 VOLTIOS

20 VATIOS

Diseñado para el poder de fines generales y cambiar tal como etapas de la salida o de conductor en usos tales como recortes reguladores, convertidores, y amplificadores de potencia.

Características

• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

• Ventaja formada para los usos superficiales del soporte en las fundas plásticas (ningún sufijo)

• Versión recta de la ventaja en las fundas plásticas (sufijo “−1”)

• Versión formada ventaja en la cinta y el carrete (“T4” y sufijo de “de 16 milímetros RL”)

• Eléctricamente similar a la serie popular TIP31 y TIP32

GRADOS MÁXIMOS

Grado Símbolo Máximo Unidad
Voltaje de Collector−Emitter VCEO 100 VDC
Voltaje de Collector−Base VCB 100 VDC
Voltaje de Emitter−Base VEB 5 VDC

− de la corriente de colector continuo

Pico

 IC

2

4

 ADC
Corriente baja IB 50 mAdc

Disipación de poder total @ TC = 25°C

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

 Paladio

20

0,16

W

W/°C

Poder total Dissipation* @ TA = 25°C

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

 Paladio

1,75

0,014

W

W/°C
Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento TJ, Tstg −65 a +150 °C

Los grados máximos son esos valores más allá de qué daño del dispositivo puede ocurrir. Los grados máximos se aplicaron al dispositivo son valores límites de la tensión individual (condiciones de funcionamiento no normales) y son inválidos simultáneamente. Si se exceden estos límites, la operación funcional del dispositivo no se implica, el daño puede ocurrir y la confiabilidad puede ser afectada.

DIAGRAMAS DE MARCADO

DIMENSIONES DEL PAQUETE

DPAK

CASO 369C

PROBLEMA O

DPAK−3

CASO 369D−01

PROBLEMA B

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