Transistor de fines generales del transistor NPN del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de BC548B
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 500 mW a través del agujero TO-92
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Corriente de colector continua:
mAdc 100
Substrato total del alúmina de la disipación del dispositivo, TA = 25℃:
625 mW/℃
TJ:
℃ -55 a +150
Tstg:
-55 to +150 ℃
Voltaje de avería de la Emisor-base:
6 VDC
Paquete:
TO-92
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introducción
Transistor de fines generales de NPN
Grados máximos (TA=25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Grado | Símbolo | BC546 | BC547 | BC548 | Unidad |
| Voltaje del Colector-emisor | VECO | 65 | 45 | 30 | VDC |
| Voltaje de la Colector-base | VCBO | 80 | 50 | 30 | VDC |
| Voltaje de la Emisor-base | VEBO | 6 | 6 | 6 | VDC |
| Corriente de colector continua | IC | 100 | mAdc | ||
CARACTERÍSTICAS TERMALES
| Características | Símbolo | Máximo | Unidad | |
| Substrato total del alúmina de la disipación del dispositivo, TA = 25℃ |
BC546 BC547 BC548 |
Paladio | 625 | mW/℃ |
| Empalme y almacenamiento, temperatura |
BC546 BC547 BC548 |
TJ, Tstg | -55 a +150 | ℃ |
Dimensiones del esquema TO-92
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
| PMBF4391 | 20000 | 12+ | SOT-23 | |
| M21L216128A-10T | 4738 | ESMT | 16+ | TSOP |
| LM308N | 1000 | NSC | 15+ | DIP-8 |
| LTM8027IV#PBF | 1112 | LT | 15+ | LGA |
| LM2936Z-5.0 | 4543 | NSC | 14+ | TO-92 |
| MC9S08GT8ACFBE | 4582 | FREESCALE | 10+ | QFP |
| MC68HC908MR16CFU | 3802 | FREESCALE | 10+ | QFP |
| LP2983AIM5-1.2 | 30000 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| LM317AT/NOPB | 2486 | TI | 13+ | TO-220 |
| LTC1386CS#TRPBF | 5274 | LT | 15+ | COMPENSACIÓN |
| MSD42SWT1G | 25000 | EN | 16+ | SOT-323 |
| 6MBP30RH060 | 493 | FUJI | 16+ | MÓDULO |
| MMBT6517LT1G | 20000 | EN | 16+ | SOT-23 |
| NY24W-K | 5400 | FUJITSU | 16+ | INMERSIÓN |
| MMSZ9V1T1 | 20000 | EN | 16+ | SOD-123 |
| LTC1383CS#PBF | 5230 | LINEAR | 14+ | COMPENSACIÓN |
| CSR1010A05-IQQM-R | 2146 | CSR | 15+ | QFN32 |
| LM833DT | 10000 | ST | 14+ | SOP-8 |
| MRMS301A | 10000 | NEC | 16+ | SOT-323 |
| LM747CN | 2234 | NSC | 14+ | DIP-14 |
| PIC18F4520-I/P | 4473 | MICROCHIP | 16+ | QFP |
PRODUCTOS RELACIONADOS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs