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TRANSISTOR del transistor del Mosfet del poder del módulo del mosfet del poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | CANAL N | TO-252AA

TRANSISTOR del transistor del Mosfet del poder del módulo del mosfet del poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | CANAL N | TO-252AA
TRANSISTOR del transistor del Mosfet del poder del módulo del mosfet del poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | CANAL N | TO-252AA
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte DPAK de la superficie 70W (Tc) del canal N 600 V 4A (Tc)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0):
600 V
voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20):
600 V
Voltaje de fuente de puerta:
± 30 V
Fuente ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de la puerta:
3000 V
Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo:
4,5 V/ns
Temperatura de empalme de funcionamiento:
°C -55 a 150
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introducción


STP4NK60Z - STP4NK60ZFP
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1

CANAL N 600V - 1.76Ω - 4A TO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK
MOSFET Zener-protegido de SuperMESHTMPower

■Ω TÍPICO 1,76 del RDS (encendido) =
■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ
■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ
■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS
■BUEN REPEATIBILITY DE FABRICACIÓN MISMO

DESCRIPCIÓN
La serie de SuperMESHTM se obtiene con una optimización extrema de la disposición stripbased establecida de PowerMESHTM del ST. Además de empujar en-resistencia perceptiblemente hacia abajo, el cuidado especial se toma para asegurar una capacidad muy buena de dv/dt para los usos más exigentes. Tal serie complementa la gama completa del ST de MOSFETs de alto voltaje incluyendo los productos revolucionarios de MDmeshTM.

USOS
■TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD, DE ALTA VELOCIDAD
■IDEAL PARA LAS FUENTES DE ALIMENTACIÓN OFF-LINE, LOS ADAPTADORES Y PFC
■ILUMINACIÓN

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

SímboloParámetroValorUnidad
STP4NK60Z STB4NK60ZSTP4NK60ZFPSTD4NK60Z STD4NK60Z-1
VDSvoltaje de la Dren-fuente (VGS = 0)600V
VDGRvoltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20)600V
VGSVoltaje de fuente de puerta± 30V
IdentificaciónDrene actual (continuo) en TC = 25°C44 (*)4
IdentificaciónDrene actual (continuo) en TC = 100°C2,52,5 (*)2,5
IDM (l)Corriente del dren (pulsada)1616 (*)16
PTOTDisipación total en TC = 25°C702570W
Reducir la capacidad normal de factor0,560,20,56W/°C
VESD (G-S)Fuente ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de la puerta3000V
dv/dt (1)Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo4,5V/ns
VISOEl aislamiento soporta el voltaje (DC)-2500-V

Tj

Tstg

Temperatura de empalme de funcionamiento

Temperatura de almacenamiento

-55 a 150

-55 a 150

°C

°C

(l) anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro
(1) DSI ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) limitó solamente por la temperatura máxima permitida



Oferta común (venta caliente)

Número de parte.Q'tyMFGD/CPaquete
LMV931MG3299NSC15+SC70-5
MC33887VM3328Bujía métrica16+HSOP
OPA277PA7240TI15+INMERSIÓN
LT1114S14#TR5182LT10+SOP-14
MC44BS373CADR23544FREESCALE10+COMPENSACIÓN
MAX5024LASA+14550MÁXIMA16+COMPENSACIÓN
LNBH23LQTR1272ST14+QFN-32
88E6185-A2-LKJ1C0001211MARVELL15+QFP
LM348MX6789NSC13+SOP-14
AZ1084CD-ADJTRG11500BCD13+TO-252
LP3990MFX-3.34682NSC15+SOT-23-5
PIC16F616T-I/ML5163MICROCHIP16+QFN
AAT4280IGU-1-T14000ANALÓGICO15+SOT23
PAM3116BLBADJR10800PAM16+COMPENSACIÓN
L1117LG10000NIKOS15+SOT-223
MMBFJ310LT1G10000EN16+SOT-23
LMV824MX/NOPB4163NSC14+SOP-14
MAX-7Q-0-0007492MÁXIMA14+GPS
LM2907MX-81000NSC14+SOP-8
OM8744HN574016+QFN
PIC16F1939-I/PT5223MICROCHIP16+QFP




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