Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad
Usos
• Convertidor de DC/de DC, conductores de la retransmisión, conductores de la lámpara, conductores del motor, flash
Características
• Adopción de los procesos de FBET y de MBIT.
• Capacitancia actual grande.
• Voltaje de saturación bajo del colector-a-emisor.
• Transferencia de alta velocidad.
• Alta disipación de poder permisible.
Especificaciones (): 2SA2040
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Grados | Unidad |
| Voltaje de la Colector-a-base | VCBO | -- | (--50) 100 | V |
| Voltaje del Colector-a-emisor | VCES | -- | (--50) 100 | V |
| Voltaje del Colector-a-emisor | VCEO | -- | (--) 50 | V |
| Voltaje de la Emisor-a-base | VEBO | -- | (--) 6 | V |
| Corriente de colector | IC | -- | (--) 8 | |
| Corriente de colector (pulso) | ICP | -- | (--) 11 | |
| Corriente baja | IB | -- | (--) 2 | |
| Disipación del colector | PC |
-- Tc=25°C |
1,0 15 |
W W |
| Temperatura de empalme | Tj | -- | 150 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -- | --55 a +150 | °C |
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | mínimo. | Tipo. | máximo. | unidad |
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB = (--) 40V, IE =0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB = (--) 4V, IC =0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
| Aumento actual de DC | hFE | VCE = (--) 2V, IC = (--) 500mA | 200 | -- | 560 | -- |
| Producto del Aumento-ancho de banda | pie | VCE = (--) 10V, IC = (--) 500mA | -- | (290) 330 | -- | Megaciclo |
| Capacitancia de salida | Mazorca | VCB = (--) 10V, f=1MHz | -- | (50) 28 | -- | PF |
| Colector-a-emisor Voltaje de saturación |
VCE (se sentó) 1 VCE (se sentó) 2 |
IC = (--) 3.5A, IB = (--) 175mA IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA |
-- -- |
(--230) 160 (--240) 110 |
(--390) 240 (--400) 170 |
milivoltio milivoltio |
| Base--Emitterr A la saturación Voltaje | VBE (se sentó) | IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA | -- | (--) 0,83 | (--) 1,2 | V |
| Voltaje de avería de la Colector-a-base | V (BR) CBO | IC = (--) 10µA, IE =0A | (--50) 100 | -- | -- | V |
| Voltaje de avería del Colector-a-emisor | V (BR) CES | IC = (--) 100µA, RBE =0Ω | (--50) 100 | -- | -- | V |
| Voltaje de avería del Colector-a-emisor | CEO DE V (BR) | IC = (--) 1mA, =∞ de RBE | (--) 50 | -- | -- | V |
| Voltaje de avería de la Emisor-a-base | V (BR) EBO | IE = (--) 10µA, IC =0A | (--) 6 | -- | -- | V |
| Tiempo de abertura | tonelada | See especificó el circuito de la prueba. | -- | (40) 30 | -- | ns |
| Tiempo de almacenamiento | tstg | See especificó el circuito de la prueba. | -- | (225) 420 | -- | ns |
| Tiempo de caída | tf | See especificó el circuito de la prueba. | -- | 25 | -- | ns |
Dimensiones del paquete Dimensiones del paquete
unidad: milímetro unidad: milímetro
7518-003 7003-003
Circuito de la prueba del tiempo que cambia
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
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