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AD820AN IC Chip Single Supply, carril para cercar la FET-entrada amperio de Op. Sys. de la energía baja con barandilla

fabricante:
ANALOG DEVICES
Descripción:
Carril-a-carril 8-PDIP del circuito del amplificador 1 de J-FET
Categoría:
Chips CI del amplificador
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de fuente:
±18 V
Voltaje entrado:
(+VS + 0,2 V) a – (20 V + CONTRA)
Voltaje entrado diferenciado:
±30 V
Temperatura de almacenamiento:
– 65°C a +125°C
Temperatura de funcionamiento:
– 40°C a +85°C
Temperatura de la ventaja (sec que suelda 60):
+260°C
Punto culminante:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introducción

Sola fuente, carril para cercar la FET-entrada amperio de Op. Sys. AD820 de la energía baja con barandilla

CARACTERÍSTICAS

Sola operación verdadera de la fuente

La salida balancea el Carril-a-carril

La gama de voltaje entrado extiende bajo tierra

Sola capacidad de la fuente a partir de +3 V a +36 V

Capacidad dual de la fuente a partir de 61,5 V a 618 V

Impulsión excelente de la carga

Impulsión capacitiva de la carga para arriba a 350 PF

Corriente de salida mínima de 15 mA

Funcionamiento excelente de la CA para la energía baja

800 mA Max Quiescent Current

Ancho de banda de la ganancia unitaria: 1,8 megaciclos

Índice de ciénaga de 3,0 V/ms

Funcionamiento excelente de DC

800 milivoltio Max Input Offset Voltage

1 tipo deriva de mV/8C del voltaje de la compensación

25 PA Max Input Bias Current

De poco ruido

13 nV/√Hz @ 10 kilociclos

USOS

Instrumentación con pilas de la precisión

Preamplificación del fotodiodo

Filtros activos

12- a los sistemas de adquisición de datos 14-Bit

Instrumentación médica

Referencias y reguladores de la energía baja

DIAGRAMAS DE CONEXIÓN

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El AD820 es una precisión, el FET de la energía baja entró el amperio de Op. Sys. que puede actuar desde una sola fuente de +3,0 V a 36 V, o fuentes duales de ±1.5 V a ±18 V. Tiene sola capacidad verdadera con una gama de voltaje de entrada que extiende debajo del carril negativo, de la fuente CORRIENTES DIAGONALES ENTRADAS 50 0 10 15 5 1 10 0 30 20 25 35 40 45 2 3 4 5 6 7 8 9 – el NÚMERO del PA DE UNIDADES figura 1. distribuciones típicas de la corriente diagonal entrada permitiendo que el AD820 acomode las señales de entrada subterráneas en el solo modo de la fuente. El oscilación del voltaje de salida extiende dentro de 10 milivoltio de cada carril que proporciona el rango dinámico de la salida máxima.

El voltaje compensado de la deriva máxima, compensada del µV 800 del voltaje de 1 ΜV/°C, del tipo corrientes del prejuicio de la entrada debajo de PA 25 y del ruido bajo del voltaje de entrada provee de la precisión de la C.C. impedancias de la fuente hasta un Gigaohm. Ancho de banda de la ganancia unitaria de 1,8 megaciclos, – 93 la tarifa del DB THD en 10 kilociclos y de ciénaga de 3 V/µs se proporciona para una corriente baja de la fuente del µA 800. El AD820 conduce para arriba a 350 PF de la carga capacitiva directa y proporciona una corriente de salida mínima de 15 mA. Esto permite que el amplificador maneje una amplia gama de condiciones de carga. Esta combinación de funcionamiento de la CA y de la C.C., más la capacidad de impulsión excepcional de la carga, resultados en un amplificador excepcionalmente versátil para el solo usuario de la fuente.

El AD820 está disponible en tres grados del funcionamiento. Los grados de A y de B son clasificados sobre la gama de temperaturas industrial – de 40°C a +85°C. Hay el grado- AD820A-3V de 3 V, clasificado sobre la gama de temperaturas industrial.

El AD820 se ofrece en dos variedades de paquete de 8 ventajas: INMERSIÓN plástica, y soporte de la superficie (SOIC).

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS1

Voltaje de fuente…………………………. ±18 V

Disipación de poder interna2

INMERSIÓN plástica (n)……………………. 1,6 vatios

SOIC (r)…………………………. 1,0 vatios

Voltaje entrado…………. (+VS + 0,2 V) a – (20 V + CONTRA)

Duración del cortocircuito de la salida……………. Indefinido

Voltaje entrado diferenciado…………………. ±30 V

Gama de temperaturas de almacenamiento (n)……… – 65°C a +125°C

Gama de temperaturas de almacenamiento (r)……… – 65°C a +150°C

Gama de temperaturas de funcionamiento

AD820A/B.…………………… – 40°C a +85°C

Gama de temperaturas de la ventaja

(Sec que suelda 60)……………………. +260°C


NOTAS

Las tensiones 1 sobre ésas enumeradas bajo grados máximos absolutos pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es una tensión que valora solamente; la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en la sección operativa de esta especificación no se implica. La exposición a las condiciones del clasificación de máximo absoluto por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

paquete plástico de la INMERSIÓN 2 8-Lead: θJA = 90°C/Watt

paquete de 8-Lead SOIC: θJA = 160°C/Watt

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
VIPER12A 4046 ST 15+ DIP-8
PIC18F4431-I/P 511 MICROCHIP 16+ DIP40
PIC18F6527-I/PT 511 MICROCHIP 16+ QFP
RF2047 512 RFMD 14+ SMT76
IS61LV6416 520 ISSI 14+ TSOP
TC1-1T 520 MINI 14+ SMD
X9C104SIZ 1520 INTERSIL 16+ SOP-8
2SC3714 522 SHINDENGE 16+ TO-3PL
SST25LF080A-33-4C 533 SST 13+ SOP-8
30191* 550 15+ TO220-7
STW9NK90Z 552 ST 16+ TO-247
AD7276BUJZ 580 ANUNCIO 16+ SOT23-6
MSP430F415IPMR 588 TI 14+ QFP
STM32F100C4T6B 588 ST 14+ QFP48
PS331TQFP64G-A1 599 DESFILE 14+ TQFP64
STW26NM50 620 ST 16+ TO247
MCP3208-CI/P 690 MICROCHIP 16+ INMERSIÓN
TDA7297SA 702 ST 13+ ZIP-5
2SC5200 710 TOS 15+ TO-3P
2SK1486 711 TOSHIBA 16+ TO-3PL
GL852G 720 GENESYS 16+ SSOP28
STP20NM50FP 720 ST 14+ TO-220F
TSOP98260 750 VISHAY 14+ DIP3
AD9430BSVZ-170 752 ANUNCIO 14+ QFP
PT7313E 755 PTC 16+ SOP28
ATMEGA32A-PU 770 ATMEL 16+ DIP40
HD74LS86 771 HITACHI 13+ DIP14
MID400 771 FAIRCHILD 15+ SOP8
PIC16F876A-I/SO 771 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
J0026D01BNL 777 PULSO 16+ RJ45

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Común:
MOQ:
20pcs