AD820AN IC Chip Single Supply, carril para cercar la FET-entrada amperio de Op. Sys. de la energía baja con barandilla
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
Sola fuente, carril para cercar la FET-entrada amperio de Op. Sys. AD820 de la energía baja con barandilla
CARACTERÍSTICAS
Sola operación verdadera de la fuente
La salida balancea el Carril-a-carril
La gama de voltaje entrado extiende bajo tierra
Sola capacidad de la fuente a partir de +3 V a +36 V
Capacidad dual de la fuente a partir de 61,5 V a 618 V
Impulsión excelente de la carga
Impulsión capacitiva de la carga para arriba a 350 PF
Corriente de salida mínima de 15 mA
Funcionamiento excelente de la CA para la energía baja
800 mA Max Quiescent Current
Ancho de banda de la ganancia unitaria: 1,8 megaciclos
Índice de ciénaga de 3,0 V/ms
Funcionamiento excelente de DC
800 milivoltio Max Input Offset Voltage
1 tipo deriva de mV/8C del voltaje de la compensación
25 PA Max Input Bias Current
De poco ruido
13 nV/√Hz @ 10 kilociclos
USOS
Instrumentación con pilas de la precisión
Preamplificación del fotodiodo
Filtros activos
12- a los sistemas de adquisición de datos 14-Bit
Instrumentación médica
Referencias y reguladores de la energía baja
DIAGRAMAS DE CONEXIÓN
DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO
El AD820 es una precisión, el FET de la energía baja entró el amperio de Op. Sys. que puede actuar desde una sola fuente de +3,0 V a 36 V, o fuentes duales de ±1.5 V a ±18 V. Tiene sola capacidad verdadera con una gama de voltaje de entrada que extiende debajo del carril negativo, de la fuente CORRIENTES DIAGONALES ENTRADAS 50 0 10 15 5 1 10 0 30 20 25 35 40 45 2 3 4 5 6 7 8 9 – el NÚMERO del PA DE UNIDADES figura 1. distribuciones típicas de la corriente diagonal entrada permitiendo que el AD820 acomode las señales de entrada subterráneas en el solo modo de la fuente. El oscilación del voltaje de salida extiende dentro de 10 milivoltio de cada carril que proporciona el rango dinámico de la salida máxima.
El voltaje compensado de la deriva máxima, compensada del µV 800 del voltaje de 1 ΜV/°C, del tipo corrientes del prejuicio de la entrada debajo de PA 25 y del ruido bajo del voltaje de entrada provee de la precisión de la C.C. impedancias de la fuente hasta un Gigaohm. Ancho de banda de la ganancia unitaria de 1,8 megaciclos, – 93 la tarifa del DB THD en 10 kilociclos y de ciénaga de 3 V/µs se proporciona para una corriente baja de la fuente del µA 800. El AD820 conduce para arriba a 350 PF de la carga capacitiva directa y proporciona una corriente de salida mínima de 15 mA. Esto permite que el amplificador maneje una amplia gama de condiciones de carga. Esta combinación de funcionamiento de la CA y de la C.C., más la capacidad de impulsión excepcional de la carga, resultados en un amplificador excepcionalmente versátil para el solo usuario de la fuente.
El AD820 está disponible en tres grados del funcionamiento. Los grados de A y de B son clasificados sobre la gama de temperaturas industrial – de 40°C a +85°C. Hay el grado- AD820A-3V de 3 V, clasificado sobre la gama de temperaturas industrial.
El AD820 se ofrece en dos variedades de paquete de 8 ventajas: INMERSIÓN plástica, y soporte de la superficie (SOIC).
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS1
Voltaje de fuente…………………………. ±18 V
Disipación de poder interna2
INMERSIÓN plástica (n)……………………. 1,6 vatios
SOIC (r)…………………………. 1,0 vatios
Voltaje entrado…………. (+VS + 0,2 V) a – (20 V + CONTRA)
Duración del cortocircuito de la salida……………. Indefinido
Voltaje entrado diferenciado…………………. ±30 V
Gama de temperaturas de almacenamiento (n)……… – 65°C a +125°C
Gama de temperaturas de almacenamiento (r)……… – 65°C a +150°C
Gama de temperaturas de funcionamiento
AD820A/B.…………………… – 40°C a +85°C
Gama de temperaturas de la ventaja
(Sec que suelda 60)……………………. +260°C
NOTAS
Las tensiones 1 sobre ésas enumeradas bajo grados máximos absolutos pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es una tensión que valora solamente; la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en la sección operativa de esta especificación no se implica. La exposición a las condiciones del clasificación de máximo absoluto por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.
paquete plástico de la INMERSIÓN 2 8-Lead: θJA = 90°C/Watt
paquete de 8-Lead SOIC: θJA = 160°C/Watt
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
VIPER12A | 4046 | ST | 15+ | DIP-8 |
PIC18F4431-I/P | 511 | MICROCHIP | 16+ | DIP40 |
PIC18F6527-I/PT | 511 | MICROCHIP | 16+ | QFP |
RF2047 | 512 | RFMD | 14+ | SMT76 |
IS61LV6416 | 520 | ISSI | 14+ | TSOP |
TC1-1T | 520 | MINI | 14+ | SMD |
X9C104SIZ | 1520 | INTERSIL | 16+ | SOP-8 |
2SC3714 | 522 | SHINDENGE | 16+ | TO-3PL |
SST25LF080A-33-4C | 533 | SST | 13+ | SOP-8 |
30191* | 550 | 15+ | TO220-7 | |
STW9NK90Z | 552 | ST | 16+ | TO-247 |
AD7276BUJZ | 580 | ANUNCIO | 16+ | SOT23-6 |
MSP430F415IPMR | 588 | TI | 14+ | QFP |
STM32F100C4T6B | 588 | ST | 14+ | QFP48 |
PS331TQFP64G-A1 | 599 | DESFILE | 14+ | TQFP64 |
STW26NM50 | 620 | ST | 16+ | TO247 |
MCP3208-CI/P | 690 | MICROCHIP | 16+ | INMERSIÓN |
TDA7297SA | 702 | ST | 13+ | ZIP-5 |
2SC5200 | 710 | TOS | 15+ | TO-3P |
2SK1486 | 711 | TOSHIBA | 16+ | TO-3PL |
GL852G | 720 | GENESYS | 16+ | SSOP28 |
STP20NM50FP | 720 | ST | 14+ | TO-220F |
TSOP98260 | 750 | VISHAY | 14+ | DIP3 |
AD9430BSVZ-170 | 752 | ANUNCIO | 14+ | QFP |
PT7313E | 755 | PTC | 16+ | SOP28 |
ATMEGA32A-PU | 770 | ATMEL | 16+ | DIP40 |
HD74LS86 | 771 | HITACHI | 13+ | DIP14 |
MID400 | 771 | FAIRCHILD | 15+ | SOP8 |
PIC16F876A-I/SO | 771 | MICROCHIP | 16+ | COMPENSACIÓN |
J0026D01BNL | 777 | PULSO | 16+ | RJ45 |