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STR-W6754 integró el circuito integrado Chip Quasi-Resonant Flyback Switching Regulator del transistor

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Topología off-line 19kHz ~ 25kHz TO-220F-6L del tiempo de retorno del convertidor
Categoría:
Gestión ICs del poder
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de fuente del control:
35 V
Voltaje de la Dren-fuente:
650 V
Corriente de la transferencia del dren:
15 A
Corriente máxima de la transferencia del dren:
15 A
Energía de la avalancha del Solo-pulso:
292 mJ
Gama del voltaje de OCP/BD:
– 1,5 V a +5 V
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

Recortes reguladores STR-W6754

Recorte regulador QuasiResonant del tiempo de retorno off-line de Universal-Input/100 W

El STR-W6754 es un regulador cuasi-resonante diseñó específicamente satisfacer los requisitos para la integración y la confiabilidad crecientes en fuentes de alimentación del interruptor-modo. Incorpora un circuito primario del control y de impulsión con un MOSFET avalancha-clasificado del poder. El regulador exhibe solamente ruido de alta frecuencia de bajo nivel de la EMI debido a la transferencia suave del MOSFET cerca de la tierra (punto inferior). Una función del parte-salto minimiza un aumento de la frecuencia operativa durante cargas ligeras para mejorar eficacia de sistema sobre la gama entera de la carga.

Cubriendo el rango de potencia de debajo 160 vatios para una entrada de 230 VAC, o 100 vatios para una entrada universal (85 a 264 VAC), este dispositivo se puede utilizar en una gama de usos, de jugadores del DVD y del VCR a los adaptadores de corriente alterna para los teléfonos móviles y las cámaras digitales. Una función auto-espera, que internamente es accionada detectando a tiempo, reduce el consumo de energía en la carga ligera. Un modo espera externamente accionado reduce la energía de entrada más lejos. Las protecciones múltiples, incluyendo el MOSFET avalancha-energía-garantizado, proporcionan la alta confiabilidad del diseño de sistemas. Los dispositivos con un grado de potencia de salida creciente son los STR-W6756.

la limitación actual del Ciclo-por-ciclo, el cierre del undervoltage con histéresis, y la protección de la sobretensión protegen la fuente de alimentación durante las condiciones normales de la sobrecarga y de falta. La protección de la sobretensión está trabada después de un retraso corto. El cierre puede ser reajustó completando un ciclo la fuente de la entrada. La corriente de lanzamiento baja y un modo espera de baja potencia seleccionado del circuito secundario termina una habitación completa de características. El STR-W6754 se proporciona en un TO-220-style completamente moldeado flangemounted, poder más elevado, paquete plástico aislado.

CARACTERÍSTICAS Y VENTAJAS

El MOSFET Avalancha-clasificado rugoso de 650 V simplificó la absorción de la oleada el ningún reducir la capacidad normal de VDSS requerido

■0,96 Ω rDS máximo (encendido)

■Dos modos operativos por la transferencia automática: Modo Cuasi-resonante para el modo de explosión de la operación normal para la operación espera o las cargas ligeras

■Energía entrada espera estallada automática o manualmente accionada <0>

■Corriente de funcionamiento baja (tipo de 6 mA)

■Operación estallada estable de la función del Auto-prejuicio sin la generación de interferencia

■Circuito interno del Apagado-contador de tiempo

■Impulsión incorporada del Constante-voltaje

■Protecciones múltiples: Protección contra sobrecarga de la protección de la sobreintensidad de corriente del Pulso-por-pulso con la recuperación auto que traba cierre del Undervoltage de la protección de la sobretensión con histéresis

■RoHS obediente

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS en TA = +25°C

Voltaje de fuente del control, VCC…. 35 V

Voltaje de la Dren-fuente, VDSS…… 650 V

Corriente de la transferencia del dren, identificación…. 15 A*

Corriente máxima de la transferencia del dren,

IDM…………………. 15 A

Energía de la avalancha del Solo-pulso,

EAS………………. 292 mJ

Gama del voltaje de OCP/BD,

VOCP………… – 1,5 V a +5 V

El FB entró la corriente, IFB……. 10 mA

Gama del voltaje del FB, VFP – 0,5 V a +9 V

Disipación de poder del paquete, paladio

control (VCC × ICC (ENCENDIDO)) …… 0,8 W

MOSFET (IDENTIFICACIÓN DEL × DE VDSS)…. Vea el gráfico

Temporeros del canal del MOSFET., TJ. +150°C

Temporeros internos del marco., TF…. +115°C

Gama de temperaturas de funcionamiento,

TA………… -20°C a +115°C

Gama de temperaturas de almacenamiento,

TS………… -40°C a +125°C

BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONAL

DIMENSIONES del PAQUETE en milímetros

Peso del producto: aproximadamente 2,3 G.

Esfuerzo de torsión recomendado del hardware de montaje: 0,588 ~ 0,785 nanómetros, 6 ~ × cm de 8 kgf.

Grasa recomendada del silicio: Dow Corning SC102, Toshiba YG6260, Shin-Etsu G746, o equivalente.

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
LM3526MX-H 2578 NSC 14+ SOP-8
NMV1215SAC 3580 MURATA 16+ SORBO
LM4853MM 932 NSC 13+ MSOP-10
L9146 3917 ST 15+ SOP16
L6920DCTR 3378 ST 15+ MSOP8
LM7915CT 10000 NSC 15+ TO-220
MCP130T-270I/TT 4930 MICROCHIP 16+ SOT-23
PIC16F689-I/SO 5033 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
MCP2515-I/P 5212 MICROCHIP 15+ INMERSIÓN
M25P20-VMN6TPB 5194 ST 12+ COMPENSACIÓN
MCP2210-I/SO 5158 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
LM2917N-8 1000 NSC 13+ DIP-8
LM675T 1283 NSC 11+ TO-220
NJU3718G-TE2 2940 JRC 10+ COMPENSACIÓN
M95256-WMN6TP 6597 ST 15+ COMPENSACIÓN
OPA551FA/500 7980 TI 14+ TO-263
ZTX658 3090 ZETEX 11+ TO-92
PIC18F67K22-I/PT 4278 MICROCHIP 14+ TQFP
MAX503EAG+ 4306 MÁXIMA 14+ SSOP
MCP121T-300E/TT 10000 MICROCHIP 16+ SOT-23
LP2992AIM5-3.3 4743 NSC 15+ SOT-23-5

Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs