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Recorte regulador del tiempo de retorno Cuasi-resonante off-line de Chip Universal-Input /58 W del circuito integrado STR-W6753

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Topología off-line 19kHz ~ 25kHz TO-220F-6L del tiempo de retorno del convertidor
Categoría:
Gestión ICs del poder
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de fuente del control:
35 V
Voltaje de la Dren-fuente:
650 V
Corriente máxima de la transferencia del dren:
A 11,2
Energía de la avalancha del Solo-pulso:
145 mJ
Gama de temperaturas de funcionamiento:
-20°C a +115°C
Gama de temperaturas de almacenamiento:
-40°C a +125°C
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

Recortes reguladores STR-W6753

Recorte regulador QuasiResonant del tiempo de retorno off-line de Universal-Input/58 W

El STR-W6753 es un regulador cuasi-resonante diseñó específicamente satisfacer los requisitos para la integración y la confiabilidad crecientes en fuentes de alimentación del interruptor-modo. Incorpora un circuito primario del control y de impulsión con un MOSFET avalancha-clasificado del poder. El regulador exhibe solamente ruido de alta frecuencia de bajo nivel de la EMI debido a la transferencia suave del MOSFET cerca de la tierra (punto inferior). Una función del parte-salto minimiza un aumento de la frecuencia operativa durante cargas ligeras para mejorar eficacia de sistema sobre la gama entera de la carga.

Cubriendo el rango de potencia de debajo 120 vatios para una entrada de 230 VAC, o 58 vatios para una entrada universal (85 a 264 VAC), este dispositivo se puede utilizar en una gama de usos, de jugadores del DVD y del VCR a los adaptadores de corriente alterna para los teléfonos móviles y las cámaras digitales. Una función auto-espera, que internamente es accionada detectando a tiempo, reduce el consumo de energía en la carga ligera. Un modo espera externamente accionado reduce la energía de entrada más lejos. Las protecciones múltiples, incluyendo el MOSFET avalancha-energía-garantizado, proporcionan la alta confiabilidad del diseño de sistemas. Los dispositivos con un grado de potencia de salida creciente son los STR-W6754 y los STR-W6756.

la limitación actual del Ciclo-por-ciclo, el cierre del undervoltage con histéresis, y la protección de la sobretensión protegen la fuente de alimentación durante las condiciones normales de la sobrecarga y de falta. La protección de la sobretensión está trabada después de un retraso corto. El cierre puede ser reajustó completando un ciclo la fuente de la entrada. La corriente de lanzamiento baja y un modo espera de baja potencia seleccionado del circuito secundario termina una habitación completa de características. El STR-W6753 se proporciona en un TO-220-style completamente moldeado flangemounted, poder más elevado, paquete plástico aislado.

CARACTERÍSTICAS Y VENTAJAS

El MOSFET Avalancha-clasificado rugoso de 650 V simplificó la absorción de la oleada el ningún reducir la capacidad normal de VDSS requerido

■1,7 Ω rDS máximo (encendido)

■Dos modos operativos por la transferencia automática: Modo Cuasi-resonante para el modo de explosión de la operación normal para la operación espera o las cargas ligeras

■Energía entrada espera estallada automática o manualmente accionada <0>

■Corriente de funcionamiento baja (tipo de 6 mA)

■Operación estallada estable de la función del Auto-prejuicio sin la generación de interferencia

■Circuito interno del Apagado-contador de tiempo

■Impulsión incorporada del Constante-voltaje

■Protecciones múltiples: Protección contra sobrecarga de la protección de la sobreintensidad de corriente del Pulso-por-pulso con la recuperación auto que traba cierre del Undervoltage de la protección de la sobretensión con histéresis

■RoHS obediente

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS en TA = +25°C

Voltaje de fuente del control, VCC…. 35 V

Voltaje de la Dren-fuente, VDSS…… 650 V

Corriente de la transferencia del dren, identificación… A* 11,2

Corriente máxima de la transferencia del dren,

IDM………………… A 11,2

Energía de la avalancha del Solo-pulso,

EAS………………. 145 mJ

Gama del voltaje de OCP/BD,

VOCP………… – 1,5 V a +5 V

El FB entró la corriente, IFB……. 10 mA

Gama del voltaje del FB, VFP – 0,5 V a +9 V

Disipación de poder del paquete, paladio

control (VCC × ICC (ENCENDIDO)) …… 0,8 W

MOSFET (IDENTIFICACIÓN DEL × DE VDSS)…. Vea el gráfico

Temporeros del canal del MOSFET., TJ. +150°C

Temporeros internos del marco., TF…. +115°C

Gama de temperaturas de funcionamiento,

TA………. -20°C al † de +115°C

Gama de temperaturas de almacenamiento,

TS………… -40°C a +125°C

* drene la corriente que cambia es limitado por temperatura y área de funcionamiento seguro.

† Para la disponibilidad de las piezas que cumplen los requisitos de -40°C, representante de ventas allegro del contacto.

BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONAL

DIMENSIONES del PAQUETE en milímetros

Peso del producto: aproximadamente 2,3 G.

Esfuerzo de torsión recomendado del hardware de montaje: 0,588 ~ 0,785 nanómetros, 6 ~ × cm de 8 kgf.

Grasa recomendada del silicio: Dow Corning SC102, Toshiba YG6260, Shin-Etsu G746, o equivalente.

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
MAX1909ETI+T 7300 MÁXIMA 10+ QFN
NAND02GR3B2DZA6E 5520 ST 10+ BGA
MC145028P 5522 EN 14+ INMERSIÓN
LT3021ES8#PBF 5448 LT 14+ SOP-8
MAX15005BAUE+T 5700 MÁXIMA 14+ TSSOP
MC100LVEP111FAG 2326 EN 15+ QFP
LT3070EUFD#PBF 5630 LT 14+ QFN
OPA134PA 6440 BB 13+ INMERSIÓN
MC33269DTRK-3.3 30000 EN 16+ TO-252
88E1111-BAB1I 800 MARVELL 16+ BGA
MC14001BDR2G 38000 EN 14+ COMPENSACIÓN
OPA4227PA 7720 TI 11+ INMERSIÓN
MAX9626ATC+ 2634 MÁXIMA 16+ TQFN
BSM300GB120DLC 223 EUPEC 13+ MÓDULO
NSI45030AT1G 10000 EN 14+ SOD-123
LM78M05CDT 30000 NSC 15+ TO-252
XPT6871 3000 XPT 15+ SOP-8
M29W256GL-70N6 3789 MICRÓN 14+ TSSOP
LMV324MX 5291 NSC 15+ SOP-14
LM3526MX-L 2580 NSC 14+ SOP-8
MC9S08QD4CSC 4648 FREESCALE 16+ COMPENSACIÓN

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Común:
MOQ:
10pcs