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CY7C1328G-133AXI chip ic electrónico Chip de circuito integrado 4-Mbit (256K x 18) SRAM de sincronización DCD canalizado

fabricante:
Fabricante
Descripción:
SRAM - Síncrona, la memoria IC 4.5Mbit del SDR es paralelo a 133 megaciclos 4 ns 100-TQFP (14x20)
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Temperatura de almacenamiento:
– 65°C a +150°C
Temperatura ambiente con el poder aplicado:
– 55°C a +125°C
Voltaje de fuente en VDD en relación con la tierra:
– 0.5V a +4.6V
Voltaje de fuente en VDDQ en relación con la tierra:
– 0.5V a +VDD
Voltaje de entrada CC:
– 0.5V a VDD + 0.5V
Actual en las salidas (BAJAS):
20 mA
Punto culminante:

programming ic chips

,

ic programmer circuit

Introducción

 

CY7C1328G SRAM de sincronización DCD canalizada de 4 Mbit (256 K x 18)

 

Características

• Entradas y salidas registradas para operación canalizada

• Rendimiento óptimo (deselección de ciclo doble)

— Expansión de profundidad sin estado de espera

• Arquitectura de E/S común de 256 000 × 18

• Fuente de alimentación central de 3,3 V (VDD)

• Fuente de alimentación de 3,3 V/2,5 VI/O (VDDQ)

• Tiempos rápidos de reloj a salida

— 2,6 ns (para dispositivo de 250 MHz)

• Proporcione una tasa de acceso 3-1-1-1 de alto rendimiento

• Contador de ráfagas seleccionable por el usuario compatible con secuencias de ráfagas lineales o intercaladas de Intel® Pentium®

• Luces estroboscópicas de dirección de procesador y controlador separadas

• Escrituras automáticas sincrónicas

• Activación de salida asíncrona

• Disponible en paquete TQFP de 100 pines sin plomo

• Opción de modo de suspensión "ZZ"

 

descripcion funcional

La SRAM CY7C1328G integra celdas SRAM de 256K x 18 con circuitos periféricos sincrónicos avanzados y un contador de dos bits para operación de ráfaga interna.Todas las entradas sincrónicas están activadas por registros controlados por una entrada de reloj activada por flanco positivo (CLK).Las entradas sincrónicas incluyen todas las direcciones, todas las entradas de datos, habilitación de chip de canalización de direcciones (CE1), habilitación de chip de expansión profunda (CE2 y CE3), entradas de control de ráfaga (ADSC, ADSP y ADV), habilitación de escritura (BW[A: B] y BWE) y escritura global (GW).Las entradas asíncronas incluyen la habilitación de salida (OE) y el pin ZZ.

Las direcciones y las habilitaciones de chips se registran en el flanco ascendente del reloj cuando el Procesador estroboscópico de direcciones (ADSP) o el Controlador estroboscópico de direcciones (ADSC) están activos.Las direcciones de ráfaga subsiguientes se pueden generar internamente según lo controlado por el pin de avance (ADV).

La dirección, las entradas de datos y los controles de escritura se registran en el chip para iniciar un ciclo de escritura cronometrado. Esta parte admite operaciones de escritura de bytes (consulte Descripciones de pines y Tabla de verdad para obtener más detalles).Los ciclos de escritura pueden tener uno o dos bytes de ancho según lo controlen las entradas de control de escritura de bytes.GW active LOW hace que se escriban todos los bytes.Este dispositivo incorpora un registro de habilitación canalizado adicional que retrasa la desactivación de los búferes de salida un ciclo adicional cuando se ejecuta una deselección. Esta función permite una expansión profunda sin penalizar el rendimiento del sistema.

El CY7C1328G funciona con una fuente de alimentación central de +3,3 V, mientras que todas las salidas funcionan con una fuente de alimentación de +3,3 V o +2,5 V.Todas las entradas y salidas son compatibles con el estándar JEDEC JESD8-5.

 

Máximos ratings

(Por encima del cual la vida útil puede verse afectada. Para las pautas del usuario, no probado).

Temperatura de almacenamiento ................................................ .... –65°C a +150°C

Temperatura ambiente con energía aplicada...................–55 °C a +125 °C

Tensión de alimentación en VDDRelativo a GND................................ –0,5 V a +4,6 V

Tensión de alimentación en VDDQRelativo a GND .......................... –0.5V a +VDD

Voltaje de CC aplicado a las salidas en tri-sta......... –0,5 V a VDDQ+ 0,5 V

Voltaje de entrada de CC ............................................... ........ –0,5 V a VDD+ 0,5 V

Corriente en las salidas (BAJA) .................................................. ........... 20mA

Voltaje de descarga estática ............................................... ................ > 2001V

(según MIL-STD-883, Método 3015)

Corriente de enclavamiento .............................................. .......................... > 200mA

 

Diagrama de bloques funcional

 

 

Diagrama de paquete

 

 

 

Oferta de acciones (venta caliente)

N.º de pieza cantidad MFG CORRIENTE CONTINUA Paquete
MC78L15ACDR2G 30000 EN 10+ SOP-8
MC74HC32ADR2G 25000 EN 10+ COMPENSACIÓN
MC14093BDR2G 30000 EN 16+ COMPENSACIÓN
A2C11827-BD 3000 CALLE 11+ HSOP20
LM337D2TR4 5991 EN 13+ TO-263
LTC6090CS8E 6129 LINEAL 15+ COMPENSACIÓN
PC817C 25000 AFILADO 16+ ADEREZO
LT1170CQ 5170 LINEAL 14+ TO-263
ATMXT768E-CUR 3122 ATMEL 12+ VFBGA96
LM809M3X-4.63 10000 NSC 14+ SOT-23-3
PIC12F510-I/P 5453 PASTILLA 16+ ADEREZO
30578 1408 BOSCH 10+ QFP-64
LM4040AIM3-2.5 10000 NSC 15+ SOT-23
LP38692MP-3.3 3843 NSC 15+ SOT-223
LPC4330FET256 2411 15+ TFBGA-256
LAA120P 2674 CPCLARE 15+ SOP8
MCP42010-I/SL 5356 PASTILLA 16+ COMPENSACIÓN
LM3940IMP-3.3 10000 NSC 15+ SOT-223
MAX668EUB-T 5418 MÁXIMA 16+ MSOP
MAX16054AZT+ 6100 MÁXIMA 15+ BORRACHÍN
PCA9555PW 12520 11+ TSSOP

 

 

 

 

 

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