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CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) RAM estática ic placa de circuito impreso ic

fabricante:
Fabricante
Descripción:
SRAM - Memoria asincrónica IC 256Kbit 70 paralelos ns 28-PDIP
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Temperatura de almacenamiento:
. – 65°C a +150°C
Temperatura ambiente con el poder aplicado:
. -55°C a +125°C
Voltaje de fuente para moler potencial:
– 0.5V a +7.0V
Voltaje de DC aplicado a las salidas en el alto-z estado [3:
0
Voltaje de entrada CC [3:
0
Punto culminante:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

Introducción

 

 


CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) RAM estática ic placa de circuito impreso ic


Características

■ Rangos de temperatura

❐ Comercial: 0°C a 70°C

❐ Industrial: –40°C a 85°C

❐ Automoción-A: –40 °C a 85 °C

❐ Automoción-E: –40 °C a 125 °C

■ Alta velocidad: 55 ns

■ Rango de voltaje: operación de 4,5 V a 5,5 V

■ Bajo poder activo

❐ 275 mW (máx.)

■ Bajo consumo de energía en espera (versión LL)

❐ 82,5 μW (máx.)

■ Fácil expansión de memoria con características CE y OE

■ Entradas y salidas compatibles con TTL

■ Apagado automático cuando no está seleccionado

■ CMOS para velocidad y potencia óptimas

■ Disponible en PDIP de 28 pines (600 mil) sin plomo y sin plomo,

SOIC estrecho de 28 pines (300 mil), TSOP-I de 28 pines,

y paquetes TSOP-I inversos de 28 pines

 

descripcion funcional

El CY62256N[1] es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 32K palabras por 8 bits.La fácil expansión de la memoria es proporcionada por una habilitación de chip (CE) BAJA activa y una habilitación de salida (OE) BAJA activa y controladores tristate.Este dispositivo tiene una función de apagado automático, que reduce el consumo de energía en un 99,9 por ciento cuando no está seleccionado.

 

Una señal de activación de escritura (WE) activa BAJA controla la operación de escritura/lectura de la memoria.Cuando las entradas CE y WE son BAJAS, los datos en los ocho pines de entrada/salida de datos (I/O0 a I/O7) se escriben en la ubicación de memoria direccionada por la dirección presente en los pines de dirección (A0 a A14).La lectura del dispositivo se realiza seleccionando el dispositivo y habilitando las salidas, CE y OE activas LOW, mientras WE permanece inactiva o HIGH.En estas condiciones, el contenido de la ubicación direccionada por la información de los pines de dirección está presente en los ocho pines de entrada/salida de datos.

 

Los pines de entrada/salida permanecen en un estado de alta impedancia a menos que se seleccione el chip, las salidas estén habilitadas y la habilitación de escritura (WE) sea ALTA.

 

 

 

 

LISTA COMÚN

CA1458E 1380 INTERSIL 15+ ADEREZO
7MBR50NF060 500 fuji 16+ MÓDULO
AD517JH 2450 ANUNCIO 13+ PODER
2N6394 3000 EN 14+ TO-220
2SA1385-Z-E1 3000 Comité ejecutivo nacional 16+ TO-252
ASPC2R/STE2A 1600 EN 16+ QFP100
IRF710 1500 infrarrojos 13+ COMPENSACIÓN
BQ27510DRZR-G2 1560 TI 15+ QFN
IRF840 1500 infrarrojos 16+ TO-220
IRF740 1500 infrarrojos 16+ COMPENSACIÓN
ADG783BCPZ 2000 ANUNCIO 15+ LFCSP
ADM3202ARNZ 2000 ANUNCIO 15+ SOP-16
1N4448W-7-F 9000 DIODOS 13+ SOD123
IRF7389TR 1500 infrarrojos 15+ COMPENSACIÓN
HA13164AH 3460 GOLPEAR 15+ ADEREZO
IRFR024N 1500 infrarrojos 13+ TO-252
HT9302G 2460 HOLTEK 14+ DIP-16
BTA08-600BW 2100 CALLE 13+ TO-220
2SD1555 3000 TOSHIBA 13+ TO-3P
2SK2996 3000 TOSHIBA 15+ TO-220F
2SK2671 3000 ESPECIAL 15+ TO-220
2SK3451 3000 fuji 16+ TO-220F
AD574AJD 2450 ANUNCIO 16+ DIP-28
4N32 3000 FSC 15+ DIP-6
2SC3997 3000 SANYO 15+ TO-3PL
2SC5148 3000 TOSHIBA 16+ TO-3P
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