512 Kbit 1 Mbit 2 Mbit Mucho tiempo Flash programable con circuito integrado SST27SF512-70-3C-PGE

512 Kbit 1 Mbit 2 Mbit Mucho tiempo Flash programable con circuito integrado SST27SF512-70-3C-PGE

Las características:

• Organizado como 64K x8 / 128K x8 / 256K x8

• Función de lectura de 4,5-5,5 V

• Confiabilidad superior

¢ Resistencia: Al menos 1000 ciclos

¢ Retención de datos durante más de 100 años

• Bajo consumo energético

️ Corriente activa: 20 mA (típico)

️ Corriente de espera: 10 μA (típica)

• Tiempo de acceso rápido a la lectura 70 ms

• Operación del programa de bytes rápidos

Tiempo de byte-programa: 20 μs (típico)

Tiempo de programación del chip:

1.4 segundos (típicos) para el SST27SF512

2.8 segundos (típicos) para el SST27SF010

5.6 segundos (típicos) para el SST27SF020

Descripción del producto

El SST27SF512/010/020 es un flash de bajo costo 64K x8 / 128K x8 / 256K x8 CMOS, Multi-Time Programmable (MTP), fabricado con la tecnología SuperFlash de alto rendimiento patentada por SST.El diseño de la célula de puerta dividida y el inyector de túnel de óxido grueso alcanzan una mayor fiabilidad y fabricabilidad en comparación con los enfoques alternativosEstos dispositivos MTP pueden borrarse eléctricamente y programarse al menos 1000 veces utilizando un programador externo con una fuente de alimentación de 12 V. Tienen que borrarse antes de la programación.Estos dispositivos se ajustan a las especificaciones estándar de JEDEC para memorias de byte.

Con un programa de bytes de alto rendimiento, el SST27SF512/010/020 proporciona un tiempo de programa de bytes de 20 μs. Diseñado, fabricado y probado para un amplio espectro de aplicaciones,estos dispositivos se ofrecen con una resistencia de al menos 1000 ciclosLa retención de datos está calificada como superior a 100 años.

Los SST27SF512/010/020 son adecuados para aplicaciones que requieren escrituras poco frecuentes y almacenamiento no volátil de baja potencia.y rendimiento, al mismo tiempo que coinciden con el bajo costo en aplicaciones no volátiles que actualmente utilizan UV-EPROM, OTPs, y ROMs de máscara.

Calificaciones máximas de estrés absoluto(Las condiciones más altas que las enumeradas en “Clasificaciones máximas de tensión absoluta” pueden causar daños permanentes al dispositivo.Esta es únicamente una clasificación de resistencia y no se implica el funcionamiento funcional del dispositivo en estas condiciones o condiciones superiores a las definidas en las secciones de funcionamiento de esta ficha de datos.La exposición a las condiciones máximas de tensión absoluta puede afectar a la fiabilidad del dispositivo.)

Temperatura bajo el Bias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55°C a +125°C

Temperatura de almacenamiento. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - ¿ Qué? . . . . . -65°C a +150°C D. C.

Voltado en cualquier potencial de conexión a tierra. . . . . . . . . . . . . . . . .-0,5V a VDD+0,5V

Voltagem transitoria (< 20 ns) en cualquier potencial de conexión a tierra. . ...-2,0 V a VDD+2,0 V

Voltado en A9 y VPP Pin a potenciales de tierra. . . . - ¿ Qué? . . . . . . . . -0,5 V a 14,0 V

Capacidad de disipación de potencia del paquete (TA = 25°C). . . . . . . . . 1,0 W

Temperatura de soldadura de plomo a través del agujero (10 segundos). . . . . . . . . - ¿ Qué? . . . . 300 °C

Temperatura de reflujo de la soldadura montada en la superficie1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260 ° C durante 10 segundos Cortocircuito de salida corriente2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 mA

Lista de existencias