Voltaje VISHAY del pilar del poder de pulso máximo SMBJ170A-E3/52 600W 17V
fabricante:
VISHAY
Descripción:
275V soporte superficial DO-214AA (SMBJ) del diodo de la abrazadera 2.2A Ipp TV
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
To be negotiated
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
PN:
SMBJ170A-E3/52
Marcas:
VISHAY
originales:
Estados Unidos
Poder de pulso máximo :
600W
Voltaje del pilar:
17V
Paquete:
SMBJ170A-E3/52 DO-214AA/SMB
Punto culminante:
600W Peak Pulse Power Transistors
,17V Peak Pulse Power Transistors
,SMBJ170A-E3/52 NPN Transistors
Introducción
SMBJ170A-E3/52 Punto máximo de potencia del pulso 600WVoltado de parada 17V VISHAY
Características
¢Caso: DO-214AA/SMB
Para aplicaciones de montaje en superficie con el fin de optimizar el espacio de la placa.
Polaridad: banda de color con el extremo positivo (cátodo) excepto bidireccional.
El modo de fallo típico es corto de voltaje o corriente sobreespecificados
- Soldadura a alta temperatura: 260°C/10 segundos en las terminales.
¢Terminal: soldado, soldable de acuerdo con MIL-STD-750, Método 2026.
Información general
La serie SMB-H está diseñada para proteger los componentes sensibles al voltaje de
Tienen una excelente capacidad de sujeción, alta
La serie SMB-H tiene una capacidad de sobrecarga, baja impedancia de zener y tiempo de respuesta rápido.
Se trata de un producto exclusivo de YINT Semiconductor, rentable, altamente fiable y
ideal para su uso en sistemas de comunicación, automotriz, controles numéricos,
Control de procesos, equipos médicos, máquinas comerciales, fuentes de alimentación y muchos otros.
otras aplicaciones industriales y de consumo.
Aplicaciones
Los dispositivos TVS son ideales para la protección de las interfaces de E/S,
Bus VCC y otros circuitos vulnerables utilizados en telecomunicaciones, informática, industria
y aplicaciones electrónicas de consumo.
No obstante lo anterior:
1. Pulso de corriente no repetitivo, por gráfico de forma de onda de pulso y derratado por encima de TA = 25 °C por curva de derratación de pulso.
2- Junción de resistencia térmica a plomo.
3. 8.3 ms Ciclo de trabajo de onda de medio seno único = 4 pulsos como máximo por minuto (sólo unidades unidireccionales).
4. fase única, media onda, 60 Hz, carga resistiva o inductiva. para la carga capacitiva, desactiva la corriente en un 20%.
5VF < 3,5 V para VBR < 200 V y VF < 5,0 V para VBR > 201 V.
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MOQ:
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