Canal N de los MOSFETs de los FETs de IC Chips Transistors del ordenador de BSC320N20NS3G solo
Chips CI del ordenador de los MOSFETs
,Chips CI del ordenador del canal N
,BSC320N20NS3G
Características
•Canal N, normallevel
•Producto de ExcellentgatechargexRDS (encendido) (FOM)
•Verylowon-resistanceRDS (encendido)
•Pb-freeleadplating; RoHScompliant
•) Fortargetapplication QualifiedaccordiCM GROUPoJEDEC1
•Halogen-freeaccordiCM GROUPoIEC61249-2-21
•Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification
Cualidades de producto
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Situación del producto
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Activo
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Tipo del FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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200 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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36A (Tc)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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32mOhm @ 36A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 90µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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29 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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2350 PF @ 100 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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125W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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PG-TDSON-8-1
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Paquete/caso
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8-PowerTDFN
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Número bajo del producto
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BSC320
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| CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
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| Situación de RoHS | ROHS3 obediente |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Situación del ALCANCE | ALCANCE inafectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Ventaja de nuestra compañía
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FAQ
Q1: ¿Qué compañía pertenecemos?
A1: Somos fabricante y comerciante.
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A2: Esto depende de la cantidad de las mercancías que usted pidió, nosotros tenemos común, plazo de expedición de los días generalmente 15-20.
Q3: ¿Cómo ordenar?
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Q4: ¿Cuántos descuentos están disponibles para pedir productos?
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