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Semiconductor de buen arco

Semiconductor de buen arco
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Introducción

Semiconductor de buen arco

Los productos más nuevos
Imagen parte # Descripción fabricante Común RFQ
BAS516 ALCANZAS NUEVAS y originales

BAS516 ALCANZAS NUEVAS y originales

Soporte superficial SOD-523 del diodo 75 V 250mA
BSS123 Diodo de chip nuevo y original

BSS123 Diodo de chip nuevo y original

Soporte SOT-23 de la superficie 300mW (TA) del canal N 100 V 190mA (TA)
BAT54C BANCO NUEVO Y ORIGINAL

BAT54C BANCO NUEVO Y ORIGINAL

Soporte superficial común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del cátodo 30 V 200mA de 1 pa
BAT54S BESO NUEVO Y ORIGINAL

BAT54S BESO NUEVO Y ORIGINAL

Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, referencia de la conexión de serie de 1 par
BAV23S Transistor de efecto de campo nuevo y original

BAV23S Transistor de efecto de campo nuevo y original

Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la conexión de serie de 1 par 25
Transistor de efecto de campo BAV70 nuevo y original

Transistor de efecto de campo BAV70 nuevo y original

Matriz de diodos 1 par Cátodo común 70 V 200 mA Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor de efecto de campo BAV99W nuevo y original

Transistor de efecto de campo BAV99W nuevo y original

Matriz de diodos 1 par Conexión en serie 75 V 150 mA Montaje en superficie SC-70, SOT-323
BAW56 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BAW56 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Matriz de diodos 1 par Ánodo común 70 V 200 mA Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC807-40 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC807-40 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
BC846B Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC846B Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN 65 V 100 mA 300MHz soporte superficial SOT-23-3 de 350 mW
BC856B Transistor de potencia nuevo y original

BC856B Transistor de potencia nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 150MHz soporte superficial SOT-23 de 350 mW
BC857C ALCANCE NUEVA y original

BC857C ALCANCE NUEVA y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 150MHz soporte superficial SOT-23 de 350 mW